首页 > 商品目录 > > > > IRFSL4410ZPBF代替型号比较

IRFSL4410ZPBF  与  IPI072N10N3 G  区别

型号 IRFSL4410ZPBF IPI072N10N3 G
唯样编号 A-IRFSL4410ZPBF A-IPI072N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V 7.2mΩ
上升时间 - 37ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-262 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 97A 80A
配置 - Single
长度 - 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
高度 - 9.45mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 150W
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 19ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFSL4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-262

暂无价格 0 当前型号
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI086N10N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI076N12N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI076N12N3GAKSA1_120V 100A 7.6mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI072N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI072N10N3GXKSA1_100V 80A 7.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI086N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI086N10N3GXKSA1_100V 80A 8.2mΩ 20V 125W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI072N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI072N10N3 G_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消